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RN1106晶体管资料
RN1106别名：RN1106三极管、RN1106晶体管、RN1106晶体三极管
RN1106生产厂家：日本东芝公司
RN1106制作材料：Si-N+R
RN1106性质：表面帖装型 （SMD）
RN1106封装形式：贴片封装
RN1106极限工作电压：50V
RN1106最大电流允许值：0.1A
RN1106最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1106引脚数：3
RN1106最大耗散功率：0.1W
RN1106放大倍数：
RN1106图片代号：H-15
RN1106vtest：50
RN1106htest：999900
- RN1106atest：0.1
RN1106wtest：0.1
RN1106代换 RN1106用什么型号代替：DTC143ZE,
RN1106价格
参考价格：￥0.1577
型号：RN1106,LF(CT 品牌：Toshiba 备注：这里有RN1106多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN1106批发/采购报价，RN1106行情走势销售排行榜，RN1106报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1106 | Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications 文件：252.02 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  |   |
RN1106 | Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications 文件：562.49 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | |
封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：SC-101，SOT-883 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
SwitchingApplicationsInverterCircuitApplicationsInterfaceCircuitApplicationsDriverCircuitApplications 文件：173.58 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications 文件：573.25 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
SWITCHING,INVERTERCIRCUIT,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATIONS 文件：313.34 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications 文件：205.25 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
200V-1,000VSinglePhaseBridge [VOLTAGEMULTIPLIERSINC.] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 1.4A-1.5AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 |  | | |
200V-1,000VSinglePhaseBridge1.4A-1.5AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime
| VMI Voltage Multipliers Inc. |  | | |
200V-1,000VSinglePhaseBridge 200V-1,000VSinglePhaseBridge 1.4A-1.5AForwardCurrent 70ns-3000nsRecovery)Time | VMI Voltage Multipliers Inc. | | | |
200V-1,000VSinglePhaseBridge1.4A-1.5AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime 1.4A-1.5AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime | VMI Voltage Multipliers Inc. | | | |
200V-1,000VSinglePhaseBridge1.4A-1.5AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime 1.4A-1.5AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime | VMI Voltage Multipliers Inc. | | |
RN1106产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1106
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
503192 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
SOT723 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
原装TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
63200 |
一级代理/放心采购 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
47900 |
新进库存/原装 |
|||
TOS |
1923+ |
NA |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT523 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT-523 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-523 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT723 |
50000 |
只做原装正品 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
96000 |
原装公司大量现货,欢迎来电 |
RN1106芯片相关品牌
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-阵列-预偏置 制造商ToshibaSemiconductorand_Storage 系列- 包装带卷（TR） 零件状态有源 晶体管类型2PNP-预偏压（双）（耦合发射器） 电流-集电极(Ic)（最大值）100mA 电压-集射极击穿（最大值）50V 电阻器-基极(R1)4.7千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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