RN2706JE

时间:2020-10-15 10:00:00

类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage

系列 -

包装 带卷(TR)

零件状态 有源

晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值) 50V

电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 250μA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)

频率 - 跃迁 200MHz

功率 - 最大值 100mW

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 SOT-553

供应商器件封装 ESV

基本零件编号 TC74VHC21