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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
RN1101F_07	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：573.25 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

类型
描述
型号
RN1101F_07
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1101F_07供应商更多...

更新时间：2025-10-4 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	RN1101FS	TOSHIBA/东芝	24+	NA/	19220	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市凌旭科技有限公司	RN1101MFV	TOSHIBA	2016+	SOT723	7046	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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深圳市科芯源微电子有限公司	RN1101MFV	TOSHIBA/东芝	25+	SOT723	54648	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	RN1101FT	SOT-523	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	RN1101FT	TOSHIBA	24+	SOT-523	18200	新进库存/原装	询价

RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14