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RN1106MFV价格
参考价格：￥0.1328
型号：RN1106MFV(TL3,T) 品牌：Toshiba 备注：这里有RN1106MFV多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN1106MFV批发/采购报价，RN1106MFV行情走势销售排行榜，RN1106MFV报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1106MFV | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：205.25 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1106MFV | Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 | | |
封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time
| VMI | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge [VOLTAGE MULTIPLIERS INC.] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery )Time | VMI | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | VMI | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | VMI | |
RN1106MFV产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1106MFV
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 4.7K x 47Kohms
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
8000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT723 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT923 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
TOSH |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SOT723 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
SOT723 |
32583 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2019+ |
SOT723 |
36000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA(东芝) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
TOS |
1923+ |
NA |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
RN1106MFV芯片相关品牌
RN1106MFV规格书下载地址
RN1106MFV参数引脚图相关
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- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN112-1.5-02
- RN112-1.2-02
- RN112-0.8-02
- RN112-0.6-02
- RN112-0.5-02
- RN112-0.4-02
- RN112
- RN111PC
- RN1118
- RN1117(T5L,F,T)
- RN1117
- RN1116
- RN1115,LF(CT
- RN1115
- RN1114MFV(TPL3)
- RN1114(T5L,F,T)
- RN1114
- RN1113F
- RN1113(T5L,F,T)
- RN1113
- RN1112F
- RN1112ACT(TPL3)
- RN1112
- RN1111F
- RN1111ACT(TPL3)
- RN1111(TE85L,F)
- RN1111
- RN1110MFV(TL3,T)
- RN1110F
- RN1110
- RN1109F
- RN1109
- RN1108F
- RN1108(T5L,F,T)
- RN1108
- RN1107F
- RN1107,LF(CB
- RN1107
- RN1106MFV(TPL3)
- RN1106MFV(TL3,T)
- RN1106FS(TPL3)
- RN1106F
- RN1106ACT(TPL3)
- RN1106,LF(CT
- RN1106
- RN1105MFV,L3F
- RN1105FS(TPL3)
- RN1105F
- RN1105
- RN1104T5LFT
- RN1104MFV,L3F
- RN1104F
- RN1104ACT(TPL3)
- RN1104
- RN1103F
- RN1103,LF(CT
- RN1103
- RN1102T5LFT
- RN1102MFV(TPL3)
- RN1102F
- RN1102ACT(TPL3)
- RN1102
- RN1101MFV(TPL3)
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原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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