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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

1.Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) 2.Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp 3.Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. 4.Lowleakcurrent:ICES=1Amax 5.IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

*Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) *Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp *Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. *Lowleakcurrent:ICES=1Amax

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RJP63K2DPK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP63K2DPK

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-7-31 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2511
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