RJK0652DPB-00#J5是日本东芝（Toshiba）公司生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。以下是该产品的主要特点和功能：
1. 器件类型：RJK0652DPB-00#J5是一种N沟道MOSFET功率晶体管，适用于高频率和高电压的功率应用。
2. 高性能：该功率晶体管具有低导通电阻和低开关损耗，能够提供高效的功率转换和放大功能。
3. 高电压能力：RJK0652DPB-00#J5具有较高的耐压能力，可以承受较高的电压，适用于高压应用场景。
4. 低输入和输出电容：该产品具有低输入和输出电容特性，有助于减少开关时的电荷和放电时间，提高开关速度和效率。
5. 保护功能：RJK0652DPB-00#J5具有过流保护功能，可以在过电流情况下自动断开电路，保护器件和系统免受损坏。
6. 封装和引脚配置：该产品采用了TO-263封装，具有标准的引脚配置，方便安装和连接。
RJK0652DPB-00#J5广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电源适配器等领域，用于实现功率转换和放大功能。
制造商: Renesas Electronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: -
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 55 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Renesas Electronics
高度: mm
长度: mm
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
宽度: mm
单位重量: 80 mg
