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RJP63K2中文资料

厂家型号

RJP63K2

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP63K2数据手册规格书PDF详情

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

4. Low leak current: ICES= 1 A max

5. Isolated package TO-220FL

RJP63K2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP63K2

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-10-13 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7523
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS
2024+
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