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RJP63K2DPK-M0中文资料

厂家型号

RJP63K2DPK-M0

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功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP63K2DPK-M0数据手册规格书PDF详情

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

* High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

* Low leak current: ICES= 1 A max

RJP63K2DPK-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP63K2DPK-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-10-13 17:56:00
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