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RJP30K3

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.1Vtyp •Highspeedswitchingtr=90nstyp,tf=250nstyp •LowleakcurrentICES=1µAmax •IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.1Vtyp •Highspeedswitchingtr=90nstyp,tf=250nstyp •LowleakcurrentICES=1µAmax •IsolatedpackageTO-220FL

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJP30K3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30K3

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-6-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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