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RJP30K3中文资料

厂家型号

RJP30K3

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

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Features

• Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ

• High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ

• Low leak current ICES = 1µA max

• Isolated package TO-220FL

RJP30K3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30K3

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-4 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
TO220/3
1335
全新原装进口自己库存优势
RENESAS
17+
TO220/3
9988
只做原装进口,自己库存
RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
24+
TO-220F
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
25+
TO-TO-220F
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220F
6000
十年配单,只做原装
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
6000
原装正品,支持实单