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厂家型号	RJP30K3DPP-M0
文件大小	99.88Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

• Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ

• High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ

• Low leak current ICES = 1µA max

• Isolated package TO-220FL

RJP30K3DPP-M0供应商...

更新时间：2025-10-5 9:11:00

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