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RJK03N9DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 mΩ typ. (at VGS = 8.0 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK03N9DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Double-Ended Cordsets

BCC M425-M323-3F-300-PX0334-050

Balluff

巴鲁夫

更新时间:2025-12-23 17:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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WPAK
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一级专营品牌全新原装热卖
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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