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RJK03N9DNS中文资料

厂家型号

RJK03N9DNS

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7

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK03N9DNS数据手册规格书PDF详情

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 5.7 mΩ typ. (at VGS = 8.0 V)

• Pb-free

• Halogen-free

更新时间:2025-10-6 9:12:00
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