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厂家型号	RJK03N9DNS-00-J5
文件大小	114.94Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 5.7 mΩ typ. (at VGS = 8.0 V)

• Pb-free

• Halogen-free

RJK03N9DNS-00-J5供应商...

更新时间：2025-10-6 9:12:00

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