型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJH30H2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) ● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ ● High speed switching: tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ ● Low leak current: ICES = 1 A max ● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ , trr = 23 ns typ

RENESAS

瑞萨

RJH30H2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) ● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ ● High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ ● Low leak current: ICES = 1 A max

RENESAS

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Trench gate and thin wafer technology

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RENESAS

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RJH30H2DPK-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH30H2DPK-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-9-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨
24+
NA/
13888
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
24+
TO-3P
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS/瑞萨
25+
TO3P
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
RENESAS/瑞萨
24+
PBFREE
990000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS
10+
T0-3P
1080
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
TO-3P
30000
代理全新原装现货,价格优势
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/HITACHI
TO-263-ORIG
500
原装现货支持BOM配单服务
RENESAS/瑞萨
23+
TO3PN
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESA
2406+
TO-3P
11260
诚信经营!进口原装!量大价优!

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