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RJH30H2DPK-M0中文资料
RJH30H2DPK-M0数据手册规格书PDF详情
Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
● High speed switching: tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
● Low leak current: ICES = 1 A max
● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ , trr = 23 ns typ
RJH30H2DPK-M0产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJH30H2DPK-M0
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
更新时间：2025-10-6 11:10:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO3PN |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
RENESAS |
10+ |
T0-3P |
1080 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
T0-3P |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS |
2023+ |
T0-3P |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
23+ |
T0-3P |
1080 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
20+ |
T0-3P |
1080 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
25+ |
T0-3P |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
24+ |
T0-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS |
2511 |
T0-3P |
1080 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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