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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Low VF ??High-Speed Switching Diode Diffused Junction Silicon Diode Features • High breakdown voltage (VRRM=600V) • Fast reverse recovery time • Low forward voltage (VF max=1.3V) • Low switching noise • Halogen free compliance | SANYO 三洋 |   | ||
Planar Ultrafast Rectifier Planar Ultrafast Rectifier Fast trr type, 1A, 600V, 50ns, TP/TP-FA Features • High breakdown voltage (VRRM=600V) • Fast reverse recovery time • Low forward voltage (VF max=1.3V) • Low switching noise • Halogen free compliance | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Planar Ultrafast Rectifier Planar Ultrafast Rectifier Fast trr type, 1A, 600V, 50ns, TP/TP-FA Features • High breakdown voltage (VRRM=600V) • Fast reverse recovery time • Low forward voltage (VF max=1.3V) • Low switching noise • Halogen free compliance | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Planar Ultrafast Rectifier Planar Ultrafast Rectifier Fast trr type, 1A, 600V, 50ns, TP/TP-FA Features • High breakdown voltage (VRRM=600V) • Fast reverse recovery time • Low forward voltage (VF max=1.3V) • Low switching noise • Halogen free compliance | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz High Efficiency: 65typ. APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection. FEATURES • High power gain: Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz • High Efficiency: 6 | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2B is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection. FEATURES • High power gain and High Efficiency. Pout 1.6W Typ, Gp 15dBTyp, 70Typ @Vdd= | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
Diffused Junction Silicon Diode Low VF . High-Speed Switching Diode 文件：468.29 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | | ||
Diffused Junction Silicon Diode Low VF . High-Speed Switching Diode 文件：468.29 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | | ||
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：散装 描述：DIODE GEN PURP 600V 1A TP 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：散装 描述：DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Diffused Junction Silicon Diode Low VF . High-Speed Switching Diode 文件：468.29 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：394.32 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS1 | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：394.32 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
Silicon MOSFET Power Transistor 文件：239.53 Kbytes Page：6 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2 | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
Silicon MOSFET Power Transistor 文件：254.92 Kbytes Page：6 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2B | Mitsubishi 三菱电机 | |
RD01产品属性
- 类型
描述
- 型号
RD01
- 制造商
SANYO
- 制造商全称
Sanyo Semicon Device
- 功能描述
Low VF ? High-Speed Switching Diode
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
3763 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
SNAYO |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
REN |
25+ |
SOT-89 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
MITSUBISH |
23+ |
SOT-89 |
3200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
MITSUBISHI |
SOT-89 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
SOT-89 |
30000 |
全新原装现货,假一赔十. |
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Mitsubishi Electric (三菱) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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NEXTRON |
25+ |
68 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
REN |
23+ |
SOT-89 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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- RD0106T
- RD00HVS1_10
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- RD00HHS1_11
- RD00HHS1_10
- RD0027
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- RD0023
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- RD 100/2
- RD 100/1,5 MM
- RD 100/1,2 MM
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- RD 100/0,8 MM
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- RCY20003
- RCY20002
- RCY20001
- RCY20000
- RCWPNM
- RCWPMR
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RC系列电阻非常适合脉冲负载处理，提供1/4 W和1/2 W的功率，5％和10％的容差，以及1Ω至22MΩ的欧姆值
2019-9-11RCWE2512R620FKEA深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-4-2RD13UM-T1原装进口现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业一站式全套配单服务 联系电话0755-23140719/15323480719（微信同号）
2019-1-9
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