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RBN50H65T1FPQ-A0

650V-50A-IGBT

Features Trenchgateandthinwafertechnology(G8Hseries) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Qualitygrade:Standard Highspeedswitching Non-specificationforshor

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封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:ABU / IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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更新时间:2024-6-1 23:00:00
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