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RBN50H65T1FPQ-A0#CB0

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:ABU / IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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知名厂家

650V - 50A - IGBT

Features  Trench gate and thin wafer technology (G8H series)  Built in fast recovery diode in one package  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Quality grade: Standard  High speed switching  Non-specification for shor

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2025-8-5 23:01:00
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