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RBN50H65T1FPQ-A0中文资料
RBN50H65T1FPQ-A0数据手册规格书PDF详情
Features
Trench gate and thin wafer technology (G8H series)
Built in fast recovery diode in one package
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
Quality grade: Standard
High speed switching
Non-specification for short circuit
Applications: UPS, Welding, photovoltaic
inverters, Power converter system
更新时间：2025-5-18 13:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS |
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RENESAS |
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Renesas瑞萨 |
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Renesas Electronics America In |
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TO-247-3 |
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RENESAS |
/ROHS.original |
TO247 |
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RENESAS |
23+ |
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RENESAS |
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
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瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
