IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。
特点
•浮动通道引导操作设计完全运作，以600 V容限来负瞬态电压的dV / dt的免疫
•门极驱动电源电压范围从10至20V
•欠压锁定
•CMOS施密特触发输入下拉
•在相位与输入输出（IR2117）或与输入（IR2118）相
•同时提供无铅
IR2117-单通道驱动器
时间：2012-11-13 15:26:00
IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。 特点 •浮动通道引导操作设计完全运
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2025-9-29 11:01:00
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