IR1210-双低侧驱动器

时间：2012-11-14 15:26:00

IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。特点 •门极驱动电源电压范围从6至20V •CMOS施密特触发输入上拉 &#

IR1210是一个低电压，高速动力MOSFET和IGBT驱动器。专有闩锁免疫CMOS技术，让坚固耐用的单片建设。逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出。输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，设计最小驱动器跨导。传播两个通道之间的延迟匹配。

特点
•门极驱动电源电压范围从6至20V
•CMOS施密特触发输入上拉
•为两个通道相匹配的传播延迟
•输出与输入相