MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。
•浮动通道引导操作设计
•全业务600 V
•容错负瞬态电压
•的dV/ dt的免疫
•栅极驱动电源范围从10至20 V
•欠压锁定两个通道
•独立的逻辑电源
•工作电源范围从5到20 V
•逻辑和电源的接地工作的偏移范围从-5到+5 V下拉•CMOS施密特触发输入
•逐周期边沿触发关断逻辑
•为两个通道相匹配的传播延迟
•在第一阶段的输出与输入
MPIC2112DW-高端和低端驱动器
时间：2012-11-12 15:26:00
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。
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2025-8-14 17:39:00
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