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HMC907APM5E | GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER 文件：949.25 Kbytes Page：12 Pages | AD 亚德诺 |   | |
HMC907APM5E | 封装/外壳：32-LFQFN 裸露焊盘，CSP 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC AMP 200MHZ-22GHZ 32LFCSP-CAV RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 | AD 亚德诺 | | |
HMC907APM5E | GaAs pHEMT MMIC功率放大器0.2 - 22 GHz | AD 亚德诺 | | |
GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER 文件：949.25 Kbytes Page：12 Pages | AD 亚德诺 | | ||
封装/外壳：32-LFQFN 裸露焊盘，CSP 包装：托盘 描述：IC AMP 200MHZ-22GHZ 32LFCSP-CAV RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 | AD 亚德诺 | |
更新时间：2025-9-26 9:51:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亚德诺 |
23+ |
LFCSP-32 |
9990 |
只有原装 |
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ADI(亚德诺) |
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ADI(亚德诺) |
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ADI(亚德诺) |
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ADI(亚德诺) |
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Analog Devices |
24+ |
LFCSP-32 |
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ADI/亚德诺 |
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PCKTTAPE7 |
3000 |
只做原装正品,假一赔十 |
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ADI(亚德诺) |
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ADI(亚德诺) |
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HMC903LP3ETR 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款低噪声放大器，采用砷化镓（GaAs）、假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，以单芯片微波集成电路（MMIC）形式实现。
2025-7-10HMC902LP3E 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款砷化镓（GaAs）、假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单芯片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。
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2025-7-10HMC924LC5只有原装，特价
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2023-6-26HMC881ALP5E
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2023-1-29
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