RF6L025BG功率MOSFET

发布企业:深圳市华睿芯科技有限公司时间:2024-4-12 11:46:00

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RF6L025BG功率MOSFET具有60V漏源电压(VDSS)和±2.5A连续漏极电流(ID)
6L025

ROHM Semiconductor RF6L025BG功率MOSFET具有60V漏源电压(VDSS)和±2.5A连续漏极电流(ID)。该N沟道MOSFET具有91mΩ低导通电阻(RDS(on))和1W(PD)的功耗。RF6L025BG MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C,采用无卤素小型表面贴装封装(TAMT6或SOT-363T)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。RF6L025BG功率MOSFET适合用于开关、电机驱动器和直流/直流转换器应用。
特性

   _低导通电阻
   _无铅电镀,符合RoHS指令

   _小型表面贴装封装 (TAMT6/SOT-363T)
   _不含卤素

规范

   _漏极-源极电压(VDSS):60V
   _栅极-源极电压(VGSS):±20V
   _工作结温和储存温度范围:-55°C至+150°C

   _RDS(on):91mΩ(最大值)
   _连续漏极电流(ID):±2.5A
   _功率耗散(PD):1W

应用

   _电机驱动器
   _开关

   _直流/直流转换器

2025-8-15 22:39:00
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