英飞凌科技™ EiceDRIVER 2EDB栅极驱动器IC包括2EDB8259F和2EDBx259Y，设计用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT电源开关。该系列双通道隔离式栅极驱动器IC采用DSO封装，具有4mm输入至输出爬电距离，采用片上无芯变压器 (CT) 技术，便于实现一次侧隔离。2EDBx279Y型号采用14引脚DSO封装，增加了通道间爬电距离。这些器件适合用于总线电压或污染度较高的应用，通常可简化PCB布线。
英飞凌EiceDRIVER 2EDB栅极驱动器IC具有可选的击穿保护 (STP) 和死区时间控制 (DTC) 功能。该功能允许用作具有可配置死区时间的双通道低侧、双通道高侧或半桥栅极驱动器。这些元件具有出色的共模瞬态抑制 (CMTI)、低零件间偏移和快速信号传播等特性，非常适合用于快速开关电源转换系统。
特性
_双通道隔离式栅极驱动器，用于硅和碳化硅MOSFET和GaN HEMT电源开关
_快速输入至输出传播 (38ns)，具有出色的稳定性 (+9/-5ns)
_强大的5A/9A拉电流/灌电流输出级
_快速输出钳位，对于VDDA/B <_UVLO
_快速UVLO恢复时间 (<2μs)
_4V、8V和15V VDDA/B UVLO选项
_CMTI：>150V/ns
_采用16/14引脚150mil DSO封装
应用
_服务器、电信SMPS
_电动汽车非车载充电器
_低压驱动器和电动工具
_微型太阳能逆变器、太阳能优化器
_工业电源（SMPS、住宅UPS）
