安森美半导体NTMFSC006N双路Cool™ N沟道功率MOSFET采用功率Trench® 工艺和双面冷却封装。该功率MOSFET具有超低RDS(ON) 、120V漏极-源极电压、±20V栅极-源极电压、1459A脉冲漏极电流以及150°C最高工作结温/存储温度。NTMFSC006N双路Cool™ N沟道功率MOSFET 100%经过UIL测试，符合RoHS指令。典型应用包括交流－直流商用电源、一次侧直流－直流FET、同步整流器和直流－直流转换。
特性
_双路Cool™顶部冷却PQFN封装
_最大RDS(on) = 6.1mΩ（VGS = 10V、ID = 44A时）
_高性能技术，实现极低RDS(on)
_100%经UIL测试
_符合 RoHS 要求
规范
_120V漏源电压
_栅极-源极电压：±20V
_脉冲漏极电流：1459A
_最高工作结温/存储温度：150°C
_MSL1稳健封装设计
应用
_交流-直流商用电源
_一次直流－直流FET
_同步整流器
_直流-直流转换
