IPD60R3K3C6 原装正品 MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 620 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.75 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

Pd-功率耗散: 45 W

商标名: SuperMESH

封装: Reel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 27 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

系列: STD3LN62K3

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 330 mg