BYM81080_STS2DNF30L导读
功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。
这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
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BYD6456
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
。MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。
BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。
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AFN4906WS8RG
BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。
MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。
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而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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