APM9986COC-TRL导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。
上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。
BSO220N03MD G_SI4804BDY-T1-E3
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NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，较终使扩散运动达到平衡）；。
MOS管规格书中有三个寄生电容参数，分别是：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中，分别代表什么？是如何形成的？。
BSO220N03MD G_SI4804BDY-T1-E3
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别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进，选用一种笔直V型槽结构。为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题，在大功率MOSFET中一般选用两种技能，一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来，前进MOSFET的载流才华。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。
例如电子燃油喷射系统、制动防抱死控制、防滑控制、牵引力控制、电子控制悬架、电子控制自动变速器、电子动力转向等，另一类是车载汽车电子装置，车载汽车电子装置是在汽车环境下能够独立使用的电子装置，它和汽车本身的性能并无直接关系。。
。MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
BSO220N03MD G_SI4804BDY-T1-E3
而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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