物料厂商 STMicroelectronics/意法
数据列表 STD5NM60
STB8NM60
STP8NM60
标准包装 75
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 MDmesh?
其它名称 STD5NM60-1
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 96W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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