IRFU024NPBF
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-251-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 6.22 mm
长度: 6.73 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 2.38 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
深圳市博达晶芯科技有限公司介绍：
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