IRL2203NSTRLPBF深圳原装进口无铅现货

时间:2021-1-26 14:51:00

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类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商 Infineon

系列 HEXFET?

包装 卷带(TR) 剪切带(CT)

零件状态 停产

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 116A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

Vgs(最大值) ±16V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),180W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

漏源电压(Vdss) 30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3290pF @ 25V

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QQ:1581142322 /2653161224 / 3272633752

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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A??

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N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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2025-8-9 19:39:00
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