FQD8P10TM深圳原装进口无铅现货

时间:2021-2-21 14:56:00

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类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包装 卷带(TR)剪切带(CT)

零件状态 有源

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 105毫欧 @ 2.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1020pF @ 30V

功率 - 最大值 900mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

产品编号 FDS99

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P-Channel QFET? MOSFET -100 V, -8.0 A, 185 m廓

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2025-8-12 22:58:00
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