SI7117DN-T1-GE3进口原装现货

时间:2021-1-28 13:29:00

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类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商 Vishay

系列 TrenchFET?

包装 卷带(TR) 剪切带(CT)

零件状态 有源

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),12.5W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 PowerPAK? 1212-8

漏源电压(Vdss) 150V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 510pF @ 25V

产品编号 SI7117

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2025-8-13 13:01:00
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