FQPF6N90C百分百原装进口现货

时间:2021-2-21 15:00:00

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类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET?

包装 管件

零件状态 有源

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.3 欧姆 @ 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

Vgs(最大值) ±30V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 56W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3 整包

漏源电压(Vdss) 900V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V

产品编号 FQPF6

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900V N-Channel MOSFET

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