制造商 Infineon Technologies
数据列表 BSC037N025S G
标准包装 5000
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 OptiMOS?
其它名称 BSC037N025S G
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3660pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
器件封装 TDSON-8-1
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