BSC090N03MS G原装进口现货

时间:2020-10-9 15:29:00

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制造商 Infineon Technologies

数据列表 BSC090N03MS G

标准包装 5000

包装 标准卷带

零件状态 不適用於新設計

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 OptiMOS?

其它名称 BSC090N03MS G

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),48A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),32W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

器件封装 TDSON-8-5

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2025-8-14 17:33:00
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