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NVH4L200N170M1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 192mohm, 1700V, M1, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 192 m @ VGS = 20 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 31 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 33 pF) • 100% Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical Applications • Automotive On Board Charger • Automotive

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-14 18:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25000
ON全系列可订货
onsemi(安森美)
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SSDC33
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