NVB072N65S3

时间:2021-11-5 14:05:00

NVB072N65S3

製造商: onsemi

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: D2PAK-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V

Id - C連續漏極電流: 44 A

Rds On - 漏-源電阻: 72 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V

Qg - 閘極充電: 82 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 312 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

公司名稱: SuperFET III

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

品牌: onsemi

配置: Single

下降時間: 32 ns

互導 - 最小值: 29.7 S

產品類型: MOSFET

上升時間: 50 ns

系列: SuperFET3

原廠包裝數量: 800

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 65.9 ns

標準開啟延遲時間: 26.3 ns

每件重量: 1.485 g