安森美半导体NVBLS1D7N10MCTXG N沟道PowerTrench® MOSFET具有高热性能和低RDS (on)，可最大限度地降低导通损耗。NVBLS1D7N10MCTXG符合AEC-Q101标准，且具有PPAP功能，非常适用于汽车应用。
NVBLS1D7N10MCTXG MOSFET采用TOLL封装，工作结温和存放温度范围为-55°C至175°。
特性
_RDS (on) 较低，可使传导损耗最小化
_QG 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
_降低开关噪声/EMI
_无铅，符合RoHS指令
应用
_开关电源
_电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）
_反向电池保护
规范
_最大连续漏极电流：265A
_RDS (ON) 最大值: 1.8mΩ（10V时）
_漏极-源极电压：100V
_栅极-源极电压：±20V
_脉冲漏极电流：900A
_工作结温和存放温度范围: -55°C至175°C
