NVD5117PLT4G-VF01

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-11-1 9:14:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 61 A

Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 85 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 118 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 132 ns

正向跨导 - 最小值: 30 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 195 ns

2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 22 ns

单位重量: 360 mg

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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