发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2023-3-15 17:37:00
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 300 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 900 pC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 300 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi
配置: Dual
下降時間: 32 ns
互導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 34 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 34 ns
標準開啟延遲時間: 22 ns
每件重量: 7.500 mg
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体 |   | ||
Power MOSFET Dual N??hannel | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N??hannel with ESD | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NVJD5121NT1G | ON/安森美 | 24+ | SOT-363 | 5000 | 全新原装正品,现货销售 | ||
NVJD5121NT1G | ON(安森美) | 2511 | 标准封装 | 8000 | 电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 | ||
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NVJD5121NT1G | ON/安森美 | 23+ | SOT-363 | 20000 | |||
NVJD5121NT1G | ON(安森美) | 25+ | 标准封装 | 8000 | 原装，请咨询 | ||
NVJD5121NT1G | ONSEMI/安森美 | 2048+ | SOT363 | 3000 | 原装现货 | ||
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