NVJD5121NT1G

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2023-3-15 17:37:00

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NVJD5121NT1G

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: SOT-363-6

晶體管極性: N-Channel

通道數: 2 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V

Id - C連續漏極電流: 300 mA

Rds On - 漏-源電阻: 1 Ohms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V

Qg - 閘極充電: 900 pC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 300 mW

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: onsemi

配置: Dual

下降時間: 32 ns

互導 - 最小值: 80 S

產品類型: MOSFET

上升時間: 34 ns

3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 2 N-Channel

標準斷開延遲時間: 34 ns

標準開啟延遲時間: 22 ns

每件重量: 7.500 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N??hannel with ESD

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Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88

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2025-8-11 17:17:00
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