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NVH4L050N170M1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 53mohm, 1700V, M1, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 53 m @ VGS = 20 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 98 pF) • 100% Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical Applications • Automotive On Board Charger • Automotive

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-13 20:00:00
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