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NVD5C648NL

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NVD5C648NL

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

NVD5C648NL

单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,89A,4.1mΩ

ONSEMI

安森美半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 91A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 60 V, 4.1 m, 91 A

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-1-4 16:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
26+
NA
60000
只有原装 可配单
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标准封装
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