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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NVBG015N065SC1_V01 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exem | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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