型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTMS4176PR2G

Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8

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ONSEMI

安森美半导体

NTMS4176PR2G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00123 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMS4176PR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4176PR2G

  • 功能描述

    MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 19:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
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SOP8
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全新原装正品,现货销售
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