品牌
onsemi(安森美)
封装
DFN-8
批号
22+
数量
6650
制造商
onsemi
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
313 A
Rds On-漏源导通电阻
850 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
167 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
111 ns
上升时间
94.6 ns
晶体管类型
77.8 ns
典型关闭延迟时间
20.2 ns
典型接通延迟时间
161.193 mg
可售卖地
全国
型号
NTMFSC0D9N04CL
