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NTMD6N02价格
参考价格：￥1.5717
型号：NTMD6N02R2G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTMD6N02多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTMD6N02批发/采购报价，NTMD6N02行情走势销售排行榜，NTMD6N02报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTMD6N02 | 双 N 沟道，增强模式功率 MOSFET，20V，6.5A，35mΩ | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：71.29 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts 文件：80.25 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：983.82 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS Dual HDTMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching application | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Power MOSFET 文件：232.66 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Dual TrenchMOS logic level FET 文件：251.13 Kbytes Page：12 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Dual N-channel TrenchMOS logic level FET | ETC 知名厂家 | ETC | | |
20V N?묬hannel MOSFET 文件：390.01 Kbytes Page：6 Pages | WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | |
NTMD6N02产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMD6N02
- 功能描述
MOSFET 20V 6A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
66000 |
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ON |
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50000 |
原装现货 |
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2019-4-16NTK3134NT1G原装正品
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2019-1-7
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