型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMDF6N02HD

DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS

Dual HDTMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature low RDS(on) and true logic level performance. Dual HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching application

Motorola

摩托罗拉

MMDF6N02HD

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

MMDF6N02HD

Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G6N02L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1 General description Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits

NEXPERIA

安世

Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

ETC

知名厂家

MMDF6N02HD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMDF6N02HD

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS

更新时间:2025-10-19 13:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOP8
7979
全新原装正品现货,支持订货
MOTOROLA
2016+
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ON/安森美
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MOTOROLA/摩托罗拉
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ON/安森美
23+
SOP-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
ON/安森美
25+
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明嘉莱只做原装正品现货
onsemi(安森美)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
24+
5000
公司存货
ON/安森美
2402+
SOP8
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